[实用新型]MOS晶体管

摘要

本实用新型涉及MOS晶体管。MOS晶体管包括半导体衬底；第一掺杂区，覆在半导体衬底上面，有主表面；第二掺杂区，向第一掺杂区中延伸第一距离；第三掺杂区，向第一掺杂区中延伸第一距离，与第二掺杂区隔开；第一掺杂区的第一部分，在第二与第三掺杂区之间，沿第一距离邻接第二和第三掺杂区；和控制电极，从主表面向第一掺杂区的第二部分中延伸第一距离，邻近第一部分且在第二与第三掺杂区之间，形成沟道区，用于电流从第二掺杂区横穿第一部分到达第三掺杂区，沟道区中的电流延伸穿过第一部分，且沟道区穿过第一部分纵向延伸第一距离。解决的技术问题是提供占据半导体材料表面的较小面积的大栅极宽度。实现的技术效果是提供改进的MOS晶体管。

主权项

一种MOS晶体管，包括：半导体衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区覆盖在所述半导体衬底上面，所述第一掺杂区具有主表面；第二掺杂区，所述第二掺杂区向所述第一掺杂区中延伸第一距离；第三掺杂区，所述第三掺杂区基本上向所述第一掺杂区中延伸所述第一距离，所述第三掺杂区与所述第二掺杂区间隔开；所述第一掺杂区的第一部分，所述第一部分定位在所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间，所述第一掺杂区的所述第一部分沿着所述第一距离邻接所述第二掺杂区和所述第三掺杂区；以及MOS晶体管的控制电极，所述控制电极基本上从所述主表面向所述第一掺杂区的第二部分中延伸基本上所述第一距离，所述控制电极被设置成邻近所述第一掺杂区的所述第一部分并且在所述第二掺杂区与所述第三掺杂区之间，其中所述控制电极被配置为形成沟道区，用于电流从所述第二掺杂区横向穿过所述第一掺杂区的所述第一部分而到达所述第三掺杂区，其中所述沟道区中的所述电流延伸穿过所述第一掺杂区的所述第一部分，并且所述沟道区穿过所述第一掺杂区的所述第一部分纵向延伸所述第一距离。