[实用新型]抗辐射CMOS传输门及包含其的CMOS电路

摘要

本实用新型公开一种抗辐射CMOS传输门，其包括两个串联连接的传输门。其中，两个传输门中的PMOS管和NMOS管的衬底分别相连并悬空。本实用新型还公开一种包括上述CMOS传输门的CMOS电路。在本实用新型中，当在辐照条件或者单粒子效应条件下传输门中输入端的电压稍高于电源电压时，电流不会灌入电源或者地中，保证了传输门的正常工作，提高了抗辐射能力，使得传输门及包含该传输门的CMOS电路满足在辐射环境中的使用要求。

主权项

一种抗辐射CMOS传输门，其特征在于，包括：第一PMOS管，其栅极接收第一信号，其源极与传输门输入端相连；第二PMOS管，其栅极接收所述第一信号，其源极连接至所述第一PMOS管的漏极，其漏极与传输门输出端相连，所述第一PMOS管的衬底与所述第二PMOS管的衬底相连并悬空；第一NMOS管，其栅极接收第二信号，其源极与所述传输门输入端相连；及第二NMOS管，其栅极接收所述第二信号，其源极连接至所述第一NMOS管漏极并与所述第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的源极相连，其漏极与所述传输门输出端相连，所述第一NMOS管的衬底与所述第二NMOS管的衬底相连并悬空。