[实用新型]一种IPD无反射低通滤波器有效
| 申请号： | 201720673862.X | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN206865424U | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李小珍;代传相;王茂郢;刘永红;邢孟江 | 申请（专利权）人： | 云南雷迅科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H7/52 | 分类号： | H03H7/52 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所11344 | 代理人： | 罗东 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市经开*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种IPD无反射低通滤波器，包括金属导体层、设在所述金属导体层上方的第一硅介质层、设在所述第一硅介质层上方的第二硅介质层、设在所述第二硅介质层上方的电路结构层、设在所述电路结构层上方的硅氧化层及与电路结构层连通的电阻，其中所述电路结构层包括彼此互相导通的输入端、输出端、第一接地端、第二接地端及第三接地端，所述电路结构层上连接有第一电感、第二电感及第三电感，所述硅氧化层包括第一电容、第二电容及第三电容，所述电阻包括第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻，本实用新型的IPD无反射低通滤波器具有高性价比、小尺寸、温度稳定性好带外无反射，性能高，适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ipd 反射 滤波器 | ||
【主权项】：
一种IPD无反射低通滤波器，其特征在于：包括金属导体层、设在所述金属导体层上方的第一硅介质层、设在所述第一硅介质层上方的第二硅介质层、设在所述第二硅介质层上方的电路结构层、设在所述电路结构层上方的硅氧化层及与电路结构层连通的电阻，其中所述电路结构层包括彼此互相导通的输入端、输出端、第一接地端、第二接地端及第三接地端，所述电路结构层上连接有第一电感、第二电感及第三电感，所述硅氧化层包括第一电容、第二电容及第三电容，所述电阻包括第一电阻、第二电阻、第三电阻及第四电阻。
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