[实用新型]一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片有效
| 申请号： | 201720745263.4 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN207052602U | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 彭林源;王玲 | 申请（专利权）人： | 南京矽邦半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 吕朦 |
| 地址： | 210000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架及其封装芯片，包括蚀刻区和基岛固定区，蚀刻区位于基岛固定区的周围；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，另一端连接芯片的焊接点。本实用新型通过引脚中部半蚀刻部分加长引脚替代一部分的焊线，缩短了所需焊线的长度，能够极大程度的避免焊线在塑封时发生漂移短路现象，能够增加成品率，提高生产效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 加长 蚀刻 拱形 引脚 qfn 框架 及其 封装 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于加长半蚀刻拱形内引脚QFN框架，包括蚀刻区和基岛固定区，其特征在于，所述蚀刻区位于基岛固定区的周围，蚀刻区与基岛固定区之间设有基岛支架，基岛支架为半蚀刻，基岛固定区包括基岛，所述基岛固定在基岛支架顶部，基岛用于固定芯片；蚀刻区与基岛固定区之间不直接接触，蚀刻区包括多个引脚，引脚包括引脚根部、引脚中部和引脚前部；引脚前部位于靠近基岛的蚀刻区内边上，引脚根部位于远离基岛的蚀刻区外边上，引脚根部和引脚前部之间通过引脚中部连接；引脚根部和引脚前部为未蚀刻或部分半蚀刻，引脚中部为半蚀刻；还包括焊线，焊线的一端连接引脚前部，焊线的另一端连接芯片的焊接点。
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