[实用新型]一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构有效
| 申请号： | 201720841631.5 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN206931603U | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;张怀东;周蕴言;冯冰 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。本实用新型通过在NMOS上设置N型有源区注入电阻，既减小了集成电路版图的面积，又保证了大部分的静电先通过NMOS管进行了放电，再通过N型有源区注入电阻连接到内部电路，静电释放效果好，利于保护电路，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 集成电路 esd 保护 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，其特征在于，包括NMOS管，内部电路，端口以及N型有源区注入电阻，所述NMOS管分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述NMOS管上设置有所述N型有源区注入电阻，所述N型有源区注入电阻分别与所述内部电路以及所述端口连接，所述内部电路与所述端口相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市航顺芯片技术研发有限公司，未经深圳市航顺芯片技术研发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201720841631.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双面塑封扇出型系统级叠层封装结构
- 下一篇：一种OLED显示装置及电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
