[实用新型]薄型3D扇出封装结构有效

专利信息
申请号: 201720902676.9 申请日: 2017-07-25
公开(公告)号: CN207149555U 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 王腾;于大全 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 昆山中际国创知识产权代理有限公司32311 代理人: 段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种薄型3D扇出封装结构,采用晶圆级封装方法,在载板上制作凹槽及深度小于凹槽的盲孔,在盲孔内壁沉积衬里,及凹槽至少底部沉积介质层,金属材料填充盲孔,并将芯片埋入凹槽中,通过金属重布线连接芯片焊垫或者盲孔金属材料;减薄载板第二表面,暴露盲孔中金属材料。金属重布线或金属材料上制备电性导出点,堆叠芯片或者印刷电路板通过载板第一表面和第二表面的电性导出点与芯片焊垫的电性相连,实现3D扇出封装。本实用新型先制作TSV及衬里,解决了TSV衬里沉积质量问题,更好实现超高密度互联;凹槽底部沉积介质层,保护芯片不被刻蚀,载板减薄后,介质层与TSV孔的高度差容纳部分第二电性导出点,降低了堆叠厚度。
搜索关键词: 薄型 封装 结构
【主权项】:
一种薄型3D扇出封装结构,其特征在于,包括一硅基板,所述硅基板具有第一表面和与其相对的第二表面,所述硅基板含有至少一硅通孔和至少一垂直的贯通槽,所述硅通孔中填充金属材料,所述贯通槽内嵌入至少一焊垫面与硅基板第一表面齐平的芯片,芯片侧面与贯通槽之间的间隙由绝缘介质层填充,硅基板第一表面设有第一金属重布线,第一金属重布线连接芯片焊垫、硅通孔内金属材料;芯片背部凸起于硅基板第二表面,且芯片至少背面覆盖有介质层,硅通孔内金属材料低于介质层平面,且金属材料连接一第二电性导出点。
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