[实用新型]一种晶体管有效
| 申请号： | 201720906185.1 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN206976351U | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 王明利;曹华燕;周培 | 申请（专利权）人： | 深圳正和捷思科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于光通讯技术领域，公开了一种晶体管，该晶体管由下至上依次设置有n型砷化镓衬底、p型砷化镓外延层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铟铝砷空穴阻挡层、绝缘层、钝化层和电极，电极包括源极、栅极和漏极，源极和漏极间隔设置于栅极两侧，栅极从钝化层的顶端延伸至绝缘层。本实用新型的晶体管通过上述各层组分的表征特性相互融合，实现晶体管器件击穿性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，所述晶体管由下至上依次设置有n型砷化镓衬底、p型砷化镓外延层、氮化镓沟道层、氮化铝隔离层、铟铝砷空穴阻挡层、绝缘层、钝化层和电极，所述电极包括源极、栅极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置于所述栅极两侧，所述栅极从所述钝化层的顶端延伸至所述绝缘层。
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