[实用新型]一种存储器高压防耦合高压泄放电路有效
| 申请号： | 201720930504.2 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN206931365U | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 刘吉平;朱金桥;唐伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A以及节点B，所述节点A和节点B之间设有寄生电容Cg，节点A和节点B之间串联有附属电路，附属电路包括电阻串、电压比较器以及NMOS开关管，附属电路设有的电阻串分压给电压比较器，电压比较器控制NMOS开关管通断，节点B瞬间拉低到低电平，能够削弱Cg耦合的高电压，保护了右边存储单元不会被误写；本专利针对存储单元读写过程中因高压耦合而可能引起的相邻存储单元误操作的现象，采取必要的高压防耦合高压泄放措施，设计相应电路，达到防止临近存储单元误写入的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 高压 耦合 电路 | ||
【主权项】：
一种存储器高压防耦合高压泄放电路，包括相邻的非挥发存储器单元第一存储单元、第二存储单元、节点A以及节点B，所述节点A和节点B之间设有寄生电容Cg，其特征在于：所述节点A和节点B之间串联有附属电路，所述附属电路包括电阻串、电压比较器以及NMOS开关管，附属电路设有的电阻串分压给电压比较器，所述电压比较器控制NMOS开关管通断，节点B瞬间拉低到低电平，能够削弱Cg耦合的高电压，保护了右边存储单元不会被误写入。
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