[实用新型]一种基于CMOS工艺的ESD防护电路及结构

摘要

本实用新型公开了一种基于CMOS工艺的ESD防护电路，包括预驱动端、驱动管、保护电路、输入/输出接口端和内部信号端，所述预驱动端的输出端与所述驱动管的输入端连接，所述驱动管的输出端与所述保护电路的输入端连接，所述保护电路的输出端与所述输入/输出接口端连接，所述内部信号端通过连接所述保护电路与所述输入/输出接口端连接。本实用新型还公开了一种基于CMOS工艺的ESD防护结构，包括衬底、阱区、晶体管、二极管、电阻和PAD层。本实用新型涉及集成电路技术领域，一种基于CMOS工艺的ESD防护电路及结构，保护电路中的二极管与电源反接，利用二极管的反向击穿来保护输入/输出接口端不受高压静电的伤害，实现低功耗并提高抗静电能力。

主权项

一种基于CMOS工艺的ESD防护电路，其特征在于，其包括预驱动端、驱动管、保护电路、输入/输出接口端和内部信号端，所述预驱动端的输出端与所述驱动管的输入端连接，所述驱动管的输出端与所述保护电路的输入端连接，所述保护电路的输出端与所述输入/输出接口端连接，所述内部信号端通过连接所述保护电路与所述输入/输出接口端连接，所述保护电路包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的负极连接电源，所述第一二极管的正极分别与所述输入/输出接口端、所述第二二极管的负极连接，所述第二二极管的正极连接电源地，所述预驱动端包括第一预驱动端和第二预驱动端，所述驱动管包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一预驱动端与所述第一PMOS晶体管的栅极连接，所述第一PMOS晶体管的源极连接电源，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接，所述第一NMOS晶体管的源极连接电源地，所述第二预驱动端与所述第一NMOS晶体管的栅极连接。