[实用新型]光电探测器有效
| 申请号： | 201721004069.7 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN207441732U | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张捷 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种光电探测器。包括：SOI衬底11，包括依次层叠设置的Si衬底层(110)、SiO2层(120)和Si层，所述Si层包括水平方向依次排列的N型掺杂区(111)、i型区(112)和P型掺杂区(113)；晶化Ge层(12)，设置于所述i型区(112)表面上；金属电极(13)，所述金属电极(13)分别设置于所述N型掺杂区(111)和所述P型掺杂区(113)之上；SiO2钝化层(14)，设置于所述晶化Ge层(12)和所述Si层之上。本实用新型提供的光电探测器，结构简单，Ge/Si界面缺陷密度低，暗电流小，有利于提高器件的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电探测器 本实用新型 金属电极 晶化 界面缺陷 量子效率 依次层叠 依次排列 暗电流 衬底层 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：SOI衬底(11)，包括依次层叠设置的Si衬底层(110)、SiO2 层(120)和Si层，所述Si层包括水平方向依次排列的N型掺杂区(111)、i型区(112)和P型掺杂区(113)；晶化Ge层(12)，设置于所述i型区(112)表面上；金属电极(13)，所述金属电极(13)分别设置于所述N型掺杂区(111)和所述P型掺杂区(113)之上；SiO2 钝化层(14)，设置于所述晶化Ge层(12)和所述Si层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
