[实用新型]一种半导体结构

摘要

本实用新型提供一种半导体结构，包括单元集成层；线路结构，形成于单元集成层上表面；具有由第二厚度减薄至第三厚度的第一层间介质层，第一层间介质层包覆线路结构，减薄以获得表面平坦化的第一层间介质层，第一厚度小于第二厚度，第三厚度小于第一厚度；及具有第四厚度的第二层间介质层，补偿沉积于具有第三厚度的第一层间介质层的表面，第二层间介质层修复第一层间介质层研磨产生的表面缺陷，第二层间介质层与第一层间介质层两者叠加为半导体结构所需要的层间介质层，第四厚度小于等于第三厚度。通过上述方案，本实用新型可以减少层间介质层中产生的刮伤，并提高产品良率，并降低了生产成本，实现了层间介质层厚度的精确控制。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构预定义所需要的层间介质层的第一厚度，所述半导体结构包括：单元集成层；线路结构，形成于所述单元集成层的上表面；具有由第二厚度减薄至第三厚度的第一层间介质层，形成于所述单元集成层的上表面，所述第一层间介质层包覆所述线路结构，所述的减薄包含所述第一层间介质层以化学机械研磨方法过度研磨，以获得表面平坦化的第一层间介质层，所述第一厚度小于所述第二厚度，所述第三厚度小于所述第一厚度；以及具有第四厚度的第二层间介质层，补偿沉积于具有所述第三厚度的第一层间介质层的表面，所述第二层间介质层修复所述第一层间介质层研磨产生的表面缺陷，所述第二层间介质层与所述第一层间介质层两者叠加为所述半导体结构所需要的层间介质层，并且所述第四厚度小于等于所述第三厚度。