[实用新型]背接触晶硅电池电极网版结构有效
申请号: | 201721165582.4 | 申请日: | 2017-09-12 |
公开(公告)号: | CN207183286U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 任军刚;宋志成;程基宽;马继奎;屈小勇;张婷 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种背接触晶硅电池电极网版结构,设置在晶硅电池的背表面,晶硅电池的背表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区,该电极网版结构包括正极细栅线、负极细栅线、正极主栅线以及负极主栅线;所述正极细栅线与所述负极细栅线呈叉指状依次横向交叉排布在晶硅电池的背表面,分别用于收集P型掺杂区和N型掺杂区的电流;所述正极主栅线与所述负极主栅线相互平行地纵向排布在晶硅电池的背表面;所述正极主栅线仅与所述正极细栅线电性连通,所述负极主栅线仅与所述负极细栅线电性连通。该结构可有效避免因未识别印刷方向或测试方向造成的报废或复测问题,极大程度简化了生产过程的印刷和测试识别方向的问题,提高了生产效率。 | ||
搜索关键词: | 接触 电池 电极 结构 | ||
【主权项】:
一种背接触晶硅电池电极网版结构,设置在晶硅电池的背表面,所述晶硅电池的背表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区,其特征在于,所述背接触晶硅电池电极网版结构包括正极细栅线、负极细栅线、正极主栅线以及负极主栅线,其中:所述正极细栅线与所述负极细栅线呈叉指状依次横向交叉排布在所述晶硅电池的背表面,分别用于收集所述P型掺杂区和N型掺杂区的电流;所述正极主栅线与所述负极主栅线相互平行地纵向排布在所述晶硅电池的背表面;所述正极主栅线仅与所述正极细栅线电性连通,所述负极主栅线仅与所述负极细栅线电性连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的