[实用新型]存储器、半导体器件

摘要

本实用新型提供了一种存储器、半导体器件。在第一隔离屏障和第二隔离屏障界定出接触窗的基础上，由于第二隔离屏障的顶表面低于第一隔离屏障的顶表面，从而可利用第二隔离屏障上方的空间，实现节点接触的顶部能够沿着第一隔离屏障的延伸方向延伸覆盖第二隔离屏障，进而使多个节点接触在其与电容器的连接面上表面为交错排布，如此一来，即可使后续所形成的电容器也为交错排布，不仅可提高电容器的电容，并且还可进一步增加电容器排布的密集程度。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：一衬底，在所述衬底上形成有多个有源区，每一所述有源区的一端部各包含一个节点接触区；多条位线，设置在所述衬底上并沿着第一方向延伸，主要用于构成多条第一隔离屏障，且两条相邻的所述第一隔离屏障之间的间隔界定出一沿着所述位线延伸的凹槽；多条第二隔离屏障，设置在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障相交，且所述第二隔离屏障的顶表面低于所述第一隔离屏障的顶表面，以在所述凹槽中分隔出多个接触窗，每一所述节点接触区对应地显露於一个所述接触窗中；以及，多个节点接触，填充在所述凹槽中的多个所述接触窗中并延伸覆盖至所述第二隔离屏障的上方，位于同一所述凹槽中的相邻的所述节点接触之间通过一暴露有所述第二隔离屏障的分隔开口相互分隔，其中，所述分隔开口呈波形结构延伸并局部重迭在所述第二隔离屏障上，并且所述分隔开口的波形结构在相邻的两个所述凹槽中的部位分别对应朝向所述第一方向的波峰和背离所述第一方向的波谷，以使位于两个相邻的所述凹槽中的所述节点接触的顶表面分别沿着所述第一方向往相反方向扩张延伸至所述第二隔离屏障的上方。