[实用新型]包括具有主驱动和旁路晶体管的共源共栅电路的电子设备有效
申请号: | 201721265677.3 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN207489873U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 全祐哲;阿里·萨利赫 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王琳;姚开丽 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本实用新型涉及一种包括具有主驱动和旁路晶体管的共源共栅电路的电子设备。该电子设备可包括第一晶体管,该第一晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极;以及第二晶体管,该第二晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极,其中第一晶体管和第二晶体管的漏极电极彼此耦接,第一晶体管和所述第二晶体管的栅极电极彼此耦接,并且第一晶体管和第二晶体管的源极电极彼此耦接。第一晶体管和第二晶体管可具有不同的栅极长度。本实用新型要解决的问题是改进晶体管的泄漏电流工作寿命。通过本实用新型实现的技术效果是实现具有当晶体管具有不同的物理性质或电性质时,其中两个晶体管并联连接的电子设备。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 电子设备 本实用新型 漏极电极 源极电极 栅极电极 耦接 共源共栅电路 旁路晶体管 主驱动 晶体管并联 工作寿命 技术效果 物理性质 泄漏电流 电性质 改进 | ||
【主权项】:
一种电子设备,其特征在于,包括:第一晶体管,所述第一晶体管包括漏极电极、具有第一栅极长度的栅极电极和源极电极;以及第二晶体管,所述第二晶体管包括漏极电极、具有小于所述第一栅极长度的第二栅极长度的栅极电极和源极电极,其中所述第一晶体管的漏极电极和所述第二晶体管的漏极电极彼此耦接,所述第一晶体管的栅极电极和所述第二晶体管的栅极电极彼此耦接,并且所述第一晶体管的源极电极和所述第二晶体管的源极电极彼此耦接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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