[实用新型]一种可减少电荷馈通的MOS开关有效
| 申请号： | 201721283385.2 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN207218657U | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 邹睿;李洪芹 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258 | 代理人： | 张文杰 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可减少电荷馈通的MOS开关，其包括一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。本实用新型提供的MOS开关由于其中的主开关管M1的馈通电荷可被两侧MOS电容所吸收，且不影响输入信号，因此能明显减少电荷馈通，从而满足开关电容电路的高精度要求，工业应用价值强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 电荷 mos 开关 | ||
【主权项】：
一种可减少电荷馈通的MOS开关，其特征在于，包括：一个主开关管M1和两个尺寸完全相同的MOS电容M1a和M1b；其中：MOS电容M1a分别与主开关管M1的源极和信号输入端Vin相连接，MOS电容M1b分别与主开关管M1的漏极和信号输出端Vout相连接；并且，主开关管M1的栅极与第一时钟信号clk相连接，MOS电容M1a和M1b的栅极均与第二时钟信号xclk相连接。
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