[实用新型]一种SiC肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721348914.2 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN207338388U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 龙立 | 申请（专利权）人： | 广东瑞森半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种SiC肖特基二极管，包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽、间隔设于N型SiC层上表面的肖特基金属层、设于肖特基金属层间隙的绝缘层、覆盖于肖特基金属层与绝缘层上表面的阳极金属层、N型SiC层的下表面连接有阴极金属层，所述多个沟槽内填充有P型SiC。肖特基金属层被分割成几部分后，电流以并联的方式流过器件，缓解因大片金属趋附效应而产生的局部电流不均匀造成的恶性电流正反馈现象，在高温情况下产生的漏电流较之传统的肖特基二级管更小，使用寿命长，工作性能更稳定，另外，绝缘层隔断肖特基金属层，加工工艺简单，生产成本低，使得产品的成本低，增加了市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种SiC肖特基二极管，其特征在于：包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽、间隔设于N型SiC层上表面的肖特基金属层、设于肖特基金属层间隙的绝缘层、覆盖于肖特基金属层与绝缘层上表面的阳极金属层、N型SiC层的下表面连接有阴极金属层，所述多个沟槽内填充有P型SiC。
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