[实用新型]适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路有效
| 申请号： | 201721372693.2 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207518563U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 颜云岭;陈朋;孔宾 | 申请（专利权）人： | 北京京仪绿能电力系统工程有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/081 | 分类号： | H03K17/081 |
| 代理公司： | 北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 | 代理人： | 谢建玲;郝亮 |
| 地址： | 102101 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路，属于电力电子技术领域。该均压控制电路通过在T管的集电极和栅极间串入电阻R、并联电容C的稳压二极管Z、栅极‑发射极间短接电阻Rg的Ts管，实现了具有三阶段控制的均压电路，第一、三阶段具有峰值均压控制作用，第二阶段具有斜率控制作用。第一阶段峰值均压控制，由Ts管实现；第二阶段斜率均压控制，由电阻R、Ts管和电容C实现；第三阶段峰值均压控制，由电阻R、稳压二极管Z和Ts管实现。电阻R起限流作用，限制电阻R→T管栅极支路的电流，所述电阻Rg用于防止Ts管误导通。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 均压控制 均压控制电路 高压大功率 稳压二极管 三阶段 串联 电力电子技术领域 本实用新型 并联电容 均压电路 限流作用 斜率控制 栅极支路 发射极 集电极 电容 短接 | ||
【主权项】：
1.适用于高压大功率场合的IGBT串联均压控制电路，其特征在于包括：电阻R、电阻Rg、电容C、稳压二极管Z和IGBT管：T管、Ts管；所述T管的集电极与电阻R的一端连接，电阻R的另一端与稳压二极管Z的阴极连接，稳压二极管Z的阳极与Ts管的集电极连接，Ts管的发射极与T管的栅极连接；所述稳压二极管Z并联电容C；所述Ts管的栅极和发射极间短接电阻Rg。
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