[实用新型]一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管有效

专利信息
申请号: 201721380877.3 申请日: 2017-10-25
公开(公告)号: CN207624706U 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 张鹏 申请(专利权)人: 启东吉莱电子有限公司
主分类号: H01L29/87 分类号: H01L29/87;H01L29/06
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 卢海洋
地址: 226200 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管,包括P型材料片,P型材料片有正面N+区,P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度,背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度,第氧化层形成于P型材料片的表面并覆盖部分正面N+区反型层,正面N+区的表面刻蚀有金属化电极,金属化电极的宽度范围延伸至氧化层,背面整个面全部金属化。本实用新型采用N+PN+P+四层构成的单向单向瞬态电压抑制二极管的结构,正面N+加高电位后,由于背面存在N+的电导调制效应,与常规单向瞬态电压抑制二极管在浪涌特性上存在优势,单向瞬态电压抑制二极管呈现出浪涌增强的特性,在外界浪涌电流加在器件上能承受更高的电流能力。
搜索关键词: 瞬态电压抑制二极管 背面 浪涌 金属化电极 氧化层 增强型 结区 电导调制效应 电位 本实用新型 表面刻蚀 电流能力 浪涌电流 浪涌特性 反型层 金属化 整个面 加高 覆盖 延伸
【主权项】:
1.一种单向浪涌增强型的瞬态电压抑制二极管,其特征在于:包括P型材料片,所述P型材料片有正面N+区,所述P型材料片的背面有背面N+型深结区和背面P+区的深度,所述背面N+型深结区的深度大于背面P+区的深度,所述P型材料片的表面形成有第氧化层并覆盖部分正面N+区反型层,所述正面N+区的表面刻蚀有金属化电极,所述金属化电极的宽度范围延伸至氧化层,背面整个面全部金属化。
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