[实用新型]用于静电保护的可控硅电路及其器件结构

摘要

本实用新型公开了一种用于静电保护的可控硅电路及其器件结构，所述可控硅电路包括：一个PNP型三极管、一个NPN型三极管、一个开关管、第一等效电阻和第二等效电阻，所述PNP型三极管发射极连接所述第一等效电阻第一端，所述PNP型三极管基极连接所述NPN型三极管集电极和所述第一等效电阻第二端，所述PNP型三极管的集电极连接所述NPN型三极管基极、所述第二等效电阻第一端和所述开关管第一端，所述NPN型三极管发射极连接所述第二等效电阻第二端和所述开关管第二端；所述PNP型三极管发射极作为所述可控硅电路阳极，所述NPN型三极管发射极作为所述可控硅电路阴极，所述开关管控制端作为所述可控硅电路控制端。本实用新型所述的用于静电保护的可控硅电路可以在不削弱静电防护能力的前提下，提高芯片引脚的最大工作电压。

主权项

一种用于静电保护的可控硅电路，包括：一个PNP型三极管、一个NPN型三极管、一个开关管、第一等效电阻和第二等效电阻，所述PNP型三极管发射极连接所述第一等效电阻第一端，所述PNP型三极管基极连接所述NPN型三极管集电极和所述第一等效电阻第二端，所述PNP型三极管的集电极连接所述NPN型三极管基极、所述第二等效电阻第一端和所述开关管第一端，所述NPN型三极管发射极连接所述第二等效电阻第二端和所述开关管第二端；所述PNP型三极管发射极作为所述可控硅电路阳极，所述NPN型三极管发射极作为所述可控硅电路阴极，所述开关管控制端作为所述可控硅电路控制端。