[实用新型]切割及湿法腐蚀双结合的封装结构有效

专利信息
申请号: 201721450043.5 申请日: 2017-11-03
公开(公告)号: CN207451614U 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 刘泽文;杨中宝;龚著浩;梅剡粼 申请(专利权)人: 苏州希美微纳系统有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02
代理公司: 苏州唯亚智冠知识产权代理有限公司 32289 代理人: 李丽
地址: 215000 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种切割及湿法腐蚀双结合的封装结构,切割及湿法腐蚀双结合的封装结构包括盖板圆片、衬底圆片、键合环,衬底圆片上可长有各种性能的MEMS器件及其引出线,封装结构的盖板圆片和衬底圆片利用键合环通过键合工艺结合在一起,使用切割机对盖板圆片进行不切穿切割,然后使用腐蚀液腐蚀掉未切穿部分使传输线焊盘漏出。由此,结合切割工艺及湿法腐蚀工艺,实现了切割及湿法腐蚀双结合的封装结构引线焊盘的引出,同时避免了普通切割过程中碎屑飞溅致使崩刀的情况,大大提高了圆片级到独立芯片的生产效率及产品成品率。
搜索关键词: 封装结构 湿法腐蚀 切割 衬底圆片 盖板 圆片 键合 传输线 切割机 本实用新型 产品成品率 腐蚀液腐蚀 独立芯片 键合工艺 切割过程 生产效率 引线焊盘 引出线 圆片级 飞溅 崩刀 焊盘 漏出 碎屑
【主权项】:
切割及湿法腐蚀双结合的封装结构,包括有衬底圆片,其特征在于:所述衬底圆片上分布有引线焊盘,所述引线焊盘上分布有MEMS器件,所述引线焊盘位于MEMS器件的外围,设置有键合环,所述键合环的顶端分布有括盖板圆片。
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