[实用新型]电容器阵列结构有效
| 申请号： | 201721469979.2 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN207398140U | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种电容器阵列结构，电容器阵列结构设置于半导体衬底上，半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，电容器阵列结构包括：下电极层，接合于焊盘上，下电极层的截面形状为U型；电容介质层，覆盖于下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于电容介质层的外表面；及，上电极填充层，覆盖上电极层的外表面，并填满上电极层之间的间隙，上电极填充层的材质包含硼掺杂锗硅。本实用新型可以降低形成对的工艺温度，从而降低热预算对电容介质层的影响；同时可以提高载流子移动速率，从而可以降低填充层的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电容器阵列结构，其特征在于，所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘，所述电容器阵列结构包括：下电极层，接合于所述焊盘上，所述下电极层的截面形状为U型；电容介质层，覆盖于所述下电极层的内表面及外表面；上电极层，覆盖于所述电容介质层的外表面；及上电极填充层，覆盖所述上电极层的外表面，并填满所述上电极层之间的间隙，所述上电极填充层的材质包含硼掺杂锗硅(B-doped SiGe)。
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