[实用新型]掩膜版及存储器有效

专利信息
申请号: 201721490289.5 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN207408737U 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 睿力集成电路有限公司
主分类号: G03F1/42 分类号: G03F1/42;H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型提供了一种掩膜版及存储器,掩膜版包括沿着第一方向延伸的第一线形图案及沿着第二方向延伸的第二线形图案,由此在掩膜版之间的套准时,可以在第一方向和第二方向两个方向上进行套准,从而提高了套准精度。进一步的,掩膜版能够用来形成存储节点接触和电容器,即存储器制造中,两个相连接的结构能够用图案相同的掩膜版制造,由此可以进一步的提高前后两个步骤中掩膜版的套准精度,从而也提高了所形成的存储器的质量和可靠性。
搜索关键词: 掩膜版 存储器 套准 方向延伸 线形图案 存储节点接触 电容器 本实用新型 存储器制造 图案 制造
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版包括:一基板,所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案;其中,所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸,所述第二线形图案沿着第二方向延伸,所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点,所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点,并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形。
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