[实用新型]掩膜版及存储器有效
申请号: | 201721490289.5 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN207408737U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种掩膜版及存储器,掩膜版包括沿着第一方向延伸的第一线形图案及沿着第二方向延伸的第二线形图案,由此在掩膜版之间的套准时,可以在第一方向和第二方向两个方向上进行套准,从而提高了套准精度。进一步的,掩膜版能够用来形成存储节点接触和电容器,即存储器制造中,两个相连接的结构能够用图案相同的掩膜版制造,由此可以进一步的提高前后两个步骤中掩膜版的套准精度,从而也提高了所形成的存储器的质量和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 存储器 套准 方向延伸 线形图案 存储节点接触 电容器 本实用新型 存储器制造 图案 制造 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜版,其特征在于,所述掩膜版包括:一基板,所述基板上具有多个第一线形图案和多个第二线形图案;其中,所述第一线形图案的形状呈波浪线形并沿着第一方向延伸,所述第二线形图案沿着第二方向延伸,所述第二线形图案和所述第一线形图案的相交处构成交叉点,所述交叉点对准呈波浪线形的所述第一线形图案的峰点或谷点,并且对准于所述交叉点的所述峰点或所述谷点的形状呈弧形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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