[实用新型]磁控装置及物理气相沉积设备有效

专利信息
申请号: 201721520727.8 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN207727138U 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 袁园;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 223300 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种磁控装置和物理气相沉积设备,所述磁控装置包括:容纳腔;位于所述容纳腔内的磁控元件;耐腐蚀涂层,覆盖所述磁控元件表面。这种耐腐蚀涂层能够防止磁控元件和容纳腔内壁被冷却液腐蚀,从而减少杂质的产生,降低过滤器的消耗。
搜索关键词: 磁控元件 磁控装置 物理气相沉积设备 耐腐蚀涂层 容纳腔 过滤器 本实用新型 容纳腔内壁 被冷却液 腐蚀 消耗 覆盖
【主权项】:
1.一种磁控装置,其特征在于,包括:容纳腔;位于所述容纳腔内的磁控元件;耐腐蚀涂层,覆盖所述磁控元件表面。
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