[实用新型]砷化镓激光巴条

摘要

本实用新型提供一种砷化镓激光巴条，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层的外延片；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道；设于p‑GaAs顶层上的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上的p电极层和GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，硅薄膜为在温度为100～150℃条件下以的生长速度蒸镀后，对硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃高温为400～500℃；蒸镀于硅薄膜外侧的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。本实用新型提高了激光器的抗光学灾变能力。

主权项

1.一种砷化镓激光巴条，其特征在于，所述砷化镓激光巴条包括：外延片，所述外延片由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶层和p型高掺杂电极接触层；多个从p‑GaAs顶层刻蚀至GaAs衬底上表面的沟道，所述沟道的两侧及底面镀有SiO2钝化层；设置于p‑GaAs顶层上面的SiO2介质膜；制备于p型高掺杂电极接触层和SiO2介质膜上面的p电极层和制备于GaAs衬底背面的n电极层；蒸镀于外延片、p电极层和n电极层左右两侧的厚度为的硅薄膜，所述厚度为的硅薄膜为在温度为100～150℃条件下，以的生长速度蒸镀后，对该厚度为的硅薄膜循环退火3‑5次形成的，循环退火时低温为100～150℃、高温为400～500℃；蒸镀于厚度为的硅薄膜外侧的厚度为的硅钝化膜和分别制备于硅钝化膜两侧的高反膜和增透膜。