[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块有效

专利信息
申请号: 201721552715.3 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN207460142U 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 匡珩;黄贞松 申请(专利权)人: 南京国博电子有限公司
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H04B1/10;H01L25/16;H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型是TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块,包括标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片,其中氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上,三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上,一个PIN二极管作为发射通道,其它二个PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路,接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道,开关电路的切换由硅驱动芯片实现。优点:1)一体化集成度高,通用性好,工作安全可靠;2)多芯片组装和裸芯片直接粘接加工,降低热阻,提升可靠性,降低使用成本。
搜索关键词: 低噪放 芯片 氮化铝基板 驱动芯片 砷化镓 接收前端模块 标准封装 接收支路 开关电路 引线框 一体化 粘接 本实用新型 驱动 发射通道 工作安全 接收通道 开关元件 直接粘接 中心金属 集成度 多芯片 高集成 裸芯片 衬底 级连 热阻 串联 组装 加工
【主权项】:
TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块,其特征在于包括QFN5×5‑32L标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片;其中,氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在QFN5×5‑32L标准封装引线框中心金属衬底上,三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上,第一PIN二极管作为发射通道,第二PIN二极管和第三PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路,该接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道,氮化铝基板,三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片与QFN5×5‑32L标准封装引线框对应管脚和中心金属衬底间用金丝键合连接。
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