[实用新型]TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块有效
申请号: | 201721552715.3 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN207460142U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 匡珩;黄贞松 | 申请(专利权)人: | 南京国博电子有限公司 |
主分类号: | H04B1/16 | 分类号: | H04B1/16;H04B1/10;H01L25/16;H01L23/367;H01L21/50 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型是TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块,包括标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片,其中氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在标准封装引线框中心金属衬底上,三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上,一个PIN二极管作为发射通道,其它二个PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路,接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道,开关电路的切换由硅驱动芯片实现。优点:1)一体化集成度高,通用性好,工作安全可靠;2)多芯片组装和裸芯片直接粘接加工,降低热阻,提升可靠性,降低使用成本。 | ||
搜索关键词: | 低噪放 芯片 氮化铝基板 驱动芯片 砷化镓 接收前端模块 标准封装 接收支路 开关电路 引线框 一体化 粘接 本实用新型 驱动 发射通道 工作安全 接收通道 开关元件 直接粘接 中心金属 集成度 多芯片 高集成 裸芯片 衬底 级连 热阻 串联 组装 加工 | ||
【主权项】:
TDD开关、驱动和低噪放一体化接收前端模块,其特征在于包括QFN5×5‑32L标准封装引线框、氮化铝基板、三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片和硅驱动芯片;其中,氮化铝基板、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片粘接在QFN5×5‑32L标准封装引线框中心金属衬底上,三个PIN二极管芯片粘接在氮化铝基板上,第一PIN二极管作为发射通道,第二PIN二极管和第三PIN二极管作为开关元件构成串联开关电路作为接收支路,该接收支路后级连一个高集成砷化镓低噪放芯片构成整个接收通道,氮化铝基板,三个PIN二极管芯片、砷化镓低噪放芯片、硅驱动芯片与QFN5×5‑32L标准封装引线框对应管脚和中心金属衬底间用金丝键合连接。
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