[实用新型]一种功率MOS的过温保护电路有效
申请号: | 201721561486.1 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN207490497U | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 黎晓英;余浩琪;赵波;李鄂胜;郑海法 | 申请(专利权)人: | 武汉奥泽电子有限公司 |
主分类号: | H02H7/20 | 分类号: | H02H7/20;H02H5/04 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黄君军 |
地址: | 430090 湖北省武汉市汉南区经济开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种功率MOS的过温保护电路,包括:温度检测模块、关断控制模块、迟滞设置模块、功率MOS;温度检测模块检测功率MOS温度,并将功率MOS的温度转换为电压信号;关断控制模块串联在控制信号输入端和功率MOS栅极之间,关断控制模块连接温度检测模块、迟滞设置模块,关断控制模块接收并比较温度检测模块、迟滞设置模块的输出信号,根据比较结果切断功率MOS的输出或恢复功率MOS的输出。与现有技术相比,本实用新型的有益效果包括:关断控制模块可根据功率MOS温度关断功率MOS输出或恢复功率MOS输出,可对功率MOS起到过温保护作用,实用性强,方便灵活,不需要额外的电源供给或稳压模块。 | ||
搜索关键词: | 功率MOS 关断控制模块 温度检测模块 设置模块 迟滞 输出 过温保护电路 本实用新型 控制信号输入端 电压信号 电源供给 过温保护 输出信号 温度转换 稳压模块 关断 串联 恢复 检测 灵活 | ||
【主权项】:
一种功率MOS的过温保护电路,其特征在于,包括:温度检测模块、关断控制模块、迟滞设置模块、功率MOS;所述温度检测模块检测所述功率MOS温度,并将所述功率MOS的温度转换为电压信号;所述关断控制模块串联在控制信号输入端和所述功率MOS栅极之间,所述关断控制模块连接所述温度检测模块、所述迟滞设置模块,所述关断控制模块接收并比较温度检测模块、迟滞设置模块的输出信号,根据比较结果切断功率MOS的输出或恢复功率MOS的输出。
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