[实用新型]一种用于改善白像素的CMOS图像传感器

摘要

本实用新型提供了一种用于改善白像素的CMOS图像传感器，采用4T结构的控制及传输电路，所述CMOS图像传感器包括光电二极管，所述光电二级管上表面设置有多晶硅层。本实用新型针对现有CMOS图像传感器中采用P型掺杂隔离光电二极管和氧化层界面带来的隔离不充分的问题。本实用新型中在现有CMOS图像传感器CIS的基础上，加入额外的多晶硅设计，并在CIS工作时间内对该多晶硅区域施加负偏压，采用电性隔离的方法，降低氧化层界面态对光电二极管的影响，从而降低白像素等噪声，从而使原有的固定的氧化层隔离效果，变成可调式的隔离效果，满足不同的隔离需求。

主权项

1.一种用于改善白像素的CMOS图像传感器，其特征在于：采用4T结构的控制及传输电路，所述CMOS图像传感器包括光电二极管(1)，所述光电二级管上表面设置有多晶硅层(2)；所述光电二极管(1)表面覆盖常规厚度的栅氧化层(3)；所述栅氧化层(3)上方覆盖梯形或三角形的多晶硅层(2)；所述多晶硅层(2)采用P型掺杂。