[实用新型]一种能降低模块开闭电压脉冲峰值的MOS芯片并联DBC布线电路有效

专利信息
申请号: 201721606459.1 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN207409481U 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 周文定 申请(专利权)人: 成都赛力康电气有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/538;H03K19/003
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 徐金琼;刘东
地址: 610219 四川省成都市双*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种能降低模块开闭电压脉冲峰值的MOS芯片并联DBC布线电路,包括基板,所述基板上设置四个以上MOS芯片并联,所述相邻两个MOS芯片为一组,每组MOS芯片栅极两两相连后再与外部电路相连接,所述每组MOS芯片源极两两相连后通过外部电路与输出大电流回路中源极总线连接。本方案能有效地降低模块开启和关闭过程中,源极和栅极之间产生的尖峰脉冲,保证MOS并联模块的正常工作,实现控制端的均衡化,同时在高频开关的使用过程中,降低大电流输出端的电感性负载对栅极和源极的影响,通过外部电路将MOS芯片小电流源极与输出大电流源极进行连接,避免小电流源极和大电流源极直接连接,将大电流和小电流隔离开,防止大电流和小电流互相影响。
搜索关键词: 外部电路 大电流 并联 源极 布线电路 大电流源 电压脉冲 小电流源 小电流 基板 开闭 输出 本实用新型 大电流回路 电感性负载 并联模块 高频开关 关闭过程 尖峰脉冲 模块开启 源极总线 均衡化 有效地 隔离 保证
【主权项】:
1.一种能降低模块开闭电压脉冲峰值的MOS芯片并联DBC布线电路,包括基板,其特征在于:所述基板上设置四个以上MOS芯片并联,所述相邻两个MOS芯片为一组,每组MOS芯片栅极两两相连后再与外部电路相连接,所述每组MOS芯片源极两两相连后通过外部电路与输出大电流回路中源极总线连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都赛力康电气有限公司,未经成都赛力康电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721606459.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top