[实用新型]一种半导体晶体管结构

摘要

本实用新型教示一种半导体晶体管结构，包括，半导体衬底；栅极结构，位于半导体衬底的上表面，包括栅极导电层及位于栅极导电层上的栅极绝缘层；栅绝缘侧壁，位于栅极结构的侧壁；栓导电结构，位于栅极结构的两侧，各栓导电结构之间通过空气绝缘结构或绝缘层进行电学隔离；空气侧壁，位于栓导电层及所述栅绝缘侧壁之间，空气侧壁包括空气间隙和绝缘封口层，空气间隙通过所述绝缘封口层密封。与现有技术相比，空气间隙和空气间隔室的引入不仅降低了栅极和栓导电结构之间的寄生电容，而且降低了栓导电结构和栓导电结构之间的寄生电容，改善了晶体管的稳定性和可靠性，为晶体管尺寸的进一步缩小提供了一种有效的途径。

主权项

1.一种半导体晶体管结构，其特征在于，所述半导体晶体管结构至少包括：半导体衬底；栅极结构，位于所述半导体衬底的上表面，包括栅极导电层及位于所述栅极导电层上的栅极绝缘层；栅绝缘侧壁，位于所述栅极结构的侧壁；栓导电结构，位于所述栅极结构的两侧，相邻的所述栓导电结构之间通过栓绝缘结构进行电学隔离；其中，所述栓导电结构和所述栅极结构之间的间隙大于所述栅绝缘侧壁的沉积厚度，以于所述栅绝缘侧壁及所述栓导电结构之间形成空气间隙；及，第一绝缘封口层，形成于所述空气间隙上，以将所述空气间隙封闭成空气侧壁。