[实用新型]一种IGBT寿命监测系统有效
| 申请号： | 201721685429.4 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN207528868U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韦延清;吴亚杰;李建霖;王乐鹏;李政霖 | 申请（专利权）人： | 珠海泰芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军;田学东 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市香洲区高新区唐*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种IGBT寿命监测系统，包括至少一路IGBT寿命监测电路；所述IGBT寿命监测电路包括待测IGBT；正极与电源模块连接，负极与待测IGBT集电极连接的第一二极管；正极与待测IGBT发射极连接，负极与待测IGBT集电极连接的第二二极管；一端与待测IGBT的发射极连接，另一端接地的第一电阻；采集待测IGBT发射极电压的电压采集模块。本实用新型通过第一二极管隔离待测IGBT关断时的电压，实现电压采集模块只采集待测IGBT集电极与发射极之间的导通电压，不会采集待测IGBT关断时的集电极与发射极之间的电压，提高了电压采集模块的采集精度。 | ||
| 搜索关键词： | 电压采集模块 采集 正极 寿命监测系统 本实用新型 发射极连接 集电极连接 二极管 负极 寿命监测 发射极 集电极 关断 电路 二极管隔离 发射极电压 导通电压 电源模块 接地 电阻 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT寿命监测系统，其特征在于：包括至少一路IGBT寿命监测电路；所述IGBT寿命监测电路包括待测IGBT；正极与电源模块连接，负极与待测IGBT集电极连接的第一二极管；正极与待测IGBT发射极连接，负极与待测IGBT集电极连接的第二二极管；一端与待测IGBT的发射极连接，另一端接地的第一电阻；采集待测IGBT发射极电压的电压采集模块。
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