[实用新型]半导体装置的内连结构有效
| 申请号： | 201721695374.5 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN207818568U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体装置的内连结构，至少一层内连层形成于衬底上，内连层包括：多根形成于衬底上的第一层互连线及覆盖第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根第一层互连线之间界定出一间隔区域，第一介质层附着在第一层互连线的侧壁上并往远离第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充间隔区域，使第一介质层和第二介质层构成的介质层组合中形成有一空气隙在间隔区域中，并且第二介质层形成于第一介质层上，使空气隙封闭在第一介质层和第二介质层中，由此能够在相邻的互连线之间形成一尺寸较大的空气隙，从而实现互连线之间有效、可靠隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 互连线 第一层 间隔区域 空气隙 半导体装置 内连结构 侧壁 衬底 本实用新型 附着 界定 填满 填充 隔离 封闭 生长 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的内连结构，其特征在于，所述半导体装置的内连结构包括：一衬底；及至少一层内连层，形成于所述衬底上，所述内连层包括：多根形成于所述衬底上的第一层互连线及一覆盖所述第一层互连线的第一介质层和第二介质层，相邻的两根所述第一层互连线之间界定出一间隔区域，所述第一介质层附着在所述第一层互连线的侧壁上并往远离所述第一层互连线的侧壁的方向生长以非填满方式部分填充所述间隔区域，使所述第一介质层和所述第二介质层构成的介质层组合中形成有一空气隙在所述间隔区域中，并且所述第二介质层形成于所述第一介质层上，使所述空气隙封闭在所述第一介质层和所述第二介质层中。
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