[实用新型]存储器

摘要

本实用新型提供了一种存储器。利用依次设置在位线传导层上的位线保形层、位线分隔夹层和位线掩蔽层构成位线传导层的侧墙隔离结构，并且由于位线分隔夹层的介电常数低于位线保形层和位线掩蔽层的介电常数，从而可相应地减小位线传导层的侧墙隔离结构的介电常数，即相当于形成在相邻的位线传导层之间的介质材料的介电常数较小，从而可有效降低相邻的位线传导层之间的耦合电容，避免相邻的位线传导层相互串扰的问题，有利于实现存储器尺寸的缩减。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底定义有一器件区；多条位线传导层，形成在所述衬底的所述器件区上，多条所述位线传导层沿相同的方向延伸；位线保形层，形成在所述衬底的所述器件区上并贴附在所述位线传导层的侧壁，并且所述位线保形层由一形成在所述衬底上的保形介质层构成，所述保形介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线保形层；以及，位线掩蔽层，形成在所述衬底的所述器件区上并遮盖所述位线传导层的侧壁，所述位线掩蔽层中对应在位线传导层侧壁的部分有间隔地遮盖所述位线保形层中贴附在所述位线传导层侧壁的部分，以设置一位线分隔夹层在所述位线保形层和所述位线掩蔽层之间，所述位线分隔夹层的介电常数小于所述位线保形层的介电常数且小于所述位线掩蔽层的介电常数，并且所述位线掩蔽层由一形成在所述衬底上的掩蔽介质层构成，所述掩蔽介质层中位于所述器件区中的部分构成所述位线掩蔽层；其中，相邻的所述位线传导层中相邻的侧壁相互面对，以使相邻的所述位线传导层之间利用所述位线保形层、所述位线分隔夹层和所述位线掩蔽层相互隔离。