[实用新型]一种高效晶硅/非晶硅异质结电池结构

摘要

本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构。它包括正面金属电极和背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅基底背面本征非晶硅薄膜、背面P型非晶硅薄膜以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜，上正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜的厚度，采用上述的结构后，实现了HJT电池的优化，提升了HJT电池的转换效率，不但使透过性和导电性均实现了最优化，而且改善了与银金属电极的接触电阻，改善了膜层对光的吸收，使透光率得到明显改善，也使电池片的FF性能得到极大的提高。

主权项

1.一种晶硅/非晶硅异质结电池结构，包括位于正面的正面金属电极（1）和位于背面的背面金属电极（10），其特征在于：所述正面金属电极（1）和背面金属电极（10）之间设置有N型晶体硅基底（6），所述正面金属电极（1）和N型晶体硅基底（6）之间从上至下依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜（2）、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜（3）、正面N型非晶硅薄膜（4）和正面本征非晶硅薄膜（5），所述N型晶体硅基底（6）和背面金属电极（10）之间从上至下依次设置有背面本征非晶硅薄膜（7）、背面P型非晶硅薄膜（8）以及背面铟锡氧化物透明导电薄膜（9），所述上正面铟锡氧化物透明导电薄膜（2）的厚度小于下正面铟锡氧化物透明导电薄膜（3）的厚度。