[实用新型]一种射频同轴匹配负载有效
| 申请号： | 201721755051.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN207800857U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 赵健;刘远庆;陈继超 | 申请（专利权）人： | 西安富士达微波技术有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/26 | 分类号： | H01P1/26 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 710075 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种射频同轴匹配负载，包括第二导体和设于第二导体上的片式电阻件，所述的第二导体端部设置有凹槽，所述的片式电阻件的两个表面上均设有电阻电路，所述的第二导体通过凹槽插接在片式电阻件上，并与两个电阻电路接通。本实用新型的射频同轴匹配负载中的片式电阻件采用双面电阻电路形式，与该片式电阻件连接的第二导体端部设置凹槽，使得第二导体同时接通有片式电阻件双侧的电阻电路，这样产品在同等体积下功率得到提升；另外，由于第二导体与片式电阻件是双面接触，相对于传统的单面接触，本实用新型的结构可以增加焊接接触面积，提高连接强度。 | ||
| 搜索关键词： | 片式电阻 导体 电阻电路 射频同轴匹配负载 本实用新型 导体端部 接通 单面接触 双面接触 传统的 电阻件 插接 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种射频同轴匹配负载，包括第二导体(2)和设于第二导体上的片式电阻件(3)，其特征在于，所述的第二导体(2)端部设置有凹槽(2‑1)，所述的片式电阻件(3)的两个表面上均设有电阻电路(3‑1)，所述的第二导体(2)通过凹槽(2‑1)插接在片式电阻件(3)上，并与两个电阻电路(3‑1)接通。
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