[实用新型]微机电器件结构有效
| 申请号： | 201721782044.X | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN207760035U | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 冯栋 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种微机电器件结构，包括刻蚀形成的第一硅片层与第二硅片层，在所述第一硅片层和第二硅片层之间还设置有热氧层，所述微机电器件结构的厚度为180至200μm。该微机电器件结构在厚度为180至200μm的同时具有良好的导热性和翘曲度，有利于实现后续的深硅刻蚀以及释放等工艺，有较大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 微机电器件 硅片层 刻蚀 导热性 本实用新型 翘曲度 热氧层 释放 应用 | ||
【主权项】：
1.一种微机电器件结构，其特征在于，包括刻蚀形成的第一硅片层与第二硅片层，在所述第一硅片层和第二硅片层之间还设置有热氧层，所述微机电器件结构的厚度为180至200μm。
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