[实用新型]基于GaN的四原色LED芯片有效
| 申请号： | 201721790479.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN208422946U | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于GaN的四原色LED芯片，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(22)、第二绿光结构(32)。本实用新型实施例，该四原色LED芯片将四色发光材料集成到单一芯片上，制备工艺简单，制作成本较低，且制备出的四原色LED芯片发光效率高、集成度高体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝光 原色LED 芯片 本实用新型 缓冲层 红光 绿光 单一芯片 发光材料 发光效率 依次层叠 制备工艺 集成度 体积小 稳定层 阻挡层 衬底 四色 源层 制备 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于GaN的四原色LED芯片，其特征在于，包括：依次层叠设置于衬底(11)之上的蓝光缓冲层(101)、蓝光稳定层(102)、蓝光n型层(103)、蓝光有源层(104)、蓝光阻挡层(105)、蓝光p型层(106)，设置于所述蓝光缓冲层(101)之上的第一红光结构(21)、第一绿光结构(31)、第二红光结构(24)、第二绿光结构(32)；第二氧化隔离层(12)和第三氧化隔离层(22)，其中，所述第二氧化隔离层(12)设置于所述第一红光结构(21)和所述第二红光结构(24)沿出光方向的四周，所述第三氧化隔离层(22)设置于所述第一绿光结构(31)和第二绿光结构(32)沿出光方向的四周；所述衬底(11)为SiC材料或者蓝宝石材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安智盛锐芯半导体科技有限公司，未经西安智盛锐芯半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721790479.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能板与铝合金框的组装装置
- 下一篇：一种镀膜的LED封装结构
