[实用新型]一种电源稳压器电路有效

专利信息
申请号: 201721833258.5 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN208013816U 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 马继荣;黄金煌;丁义民 申请(专利权)人: 紫光同芯微电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083 北京市海淀区五*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种电源稳压器电路,所述电源稳压器电路包括输出电压端、第一稳压电路和第二稳压电路,第一稳压电路和第二稳压电路同时连接输出电压端;当外部芯片处于正常工作状态时,由第一稳压电路供电,输出精确电压,同时,第二稳压电路也工作;当外部芯片处于待机工作状态时,第一稳压电路关断,不再给输出电压端供电,同时,第二稳压电路给输出电压端供电。本实用新型的电源稳压器电路实现了芯片待机工作时整体功耗在1uA以下,并且逻辑电路的寄存器值以及SRAM的数据值保持不变。
搜索关键词: 稳压电路 电源稳压器电路 输出电压端 本实用新型 外部芯片 供电 待机工作状态 正常工作状态 整体功耗 寄存器 待机 关断 芯片 输出
【主权项】:
1.一种电源稳压器电路,其特征在于,所述电源稳压器电路包括输出电压端、第一稳压电路和第二稳压电路,第一稳压电路和第二稳压电路同时连接输出电压端;其中,第一稳压电路包括带隙电压源电路、误差放大器、第一电源、第一PMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一地线;第一稳压电路中,带隙电压源电路产生参考电压VREF,从输出电压端VDD到第一地线GND的有两个串联的第一电阻和第二电阻,然后和第一NMOS晶体管相连,中间抽头电压VDET作为采样电压,电压VDET和参考电压VREF分别接误差放大器的正负输入端输出VPG信号,输出端VPG连接第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS管的漏极;PMOS晶体管的源极与外部电源VCC连接,其漏极连接输出电压端VDD,该电源稳压器电路输出的电压受参考电压VREF精确控制,VDD=k*VREF,其中k为第二电阻与第一电阻、第二电阻两个电阻总阻的比值,而使能信号EN连接第二电阻和第二PMOS晶体管的栅极,第二PMOS晶体管的源极连接电源VCC;第二稳压电路包括第二NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第四NMOS晶体管,第三电阻和第二地线;第二稳压电路中,第二NMOS晶体管的源极连接输出电压端VDD,其漏极接第一电源VCC,第三PMOS晶体管的栅极连接偏置电压端VBP,其源极接第一电源VCC,其漏极电流在二极管连接的第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管上产生电压VNG连接到第二NMOS晶体管的栅极,第六PMOS晶体管的栅极与第七PMOS晶体管的栅、漏极都和第三PMOS晶体管提供偏置电压端VBP连接,且第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管的源极都和第一电源VCC连接,第三NMOS晶体管的栅极、漏极短接并连接到第六PMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的栅极,第四NMOS晶体管的源极和第三电阻串联后接到第二地线GND上;当外部芯片处于正常工作状态时,由第一稳压电路供电,输出精确电压,同时,第二稳压电路也工作;当外部芯片处于待机工作状态时,第一稳压电路关断,不再给输出电压端供电,同时,第二稳压电路给输出电压端供电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于紫光同芯微电子有限公司,未经紫光同芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721833258.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top