[实用新型]一种电源稳压器电路有效
申请号: | 201721833258.5 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN208013816U | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 马继荣;黄金煌;丁义民 | 申请(专利权)人: | 紫光同芯微电子有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
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地址: | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种电源稳压器电路,所述电源稳压器电路包括输出电压端、第一稳压电路和第二稳压电路,第一稳压电路和第二稳压电路同时连接输出电压端;当外部芯片处于正常工作状态时,由第一稳压电路供电,输出精确电压,同时,第二稳压电路也工作;当外部芯片处于待机工作状态时,第一稳压电路关断,不再给输出电压端供电,同时,第二稳压电路给输出电压端供电。本实用新型的电源稳压器电路实现了芯片待机工作时整体功耗在1uA以下,并且逻辑电路的寄存器值以及SRAM的数据值保持不变。 | ||
搜索关键词: | 稳压电路 电源稳压器电路 输出电压端 本实用新型 外部芯片 供电 待机工作状态 正常工作状态 整体功耗 寄存器 待机 关断 芯片 输出 | ||
【主权项】:
1.一种电源稳压器电路,其特征在于,所述电源稳压器电路包括输出电压端、第一稳压电路和第二稳压电路,第一稳压电路和第二稳压电路同时连接输出电压端;其中,第一稳压电路包括带隙电压源电路、误差放大器、第一电源、第一PMOS晶体管、第一电阻、第二电阻、第一NMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第一地线;第一稳压电路中,带隙电压源电路产生参考电压VREF,从输出电压端VDD到第一地线GND的有两个串联的第一电阻和第二电阻,然后和第一NMOS晶体管相连,中间抽头电压VDET作为采样电压,电压VDET和参考电压VREF分别接误差放大器的正负输入端输出VPG信号,输出端VPG连接第一PMOS晶体管的栅极和第二PMOS管的漏极;PMOS晶体管的源极与外部电源VCC连接,其漏极连接输出电压端VDD,该电源稳压器电路输出的电压受参考电压VREF精确控制,VDD=k*VREF,其中k为第二电阻与第一电阻、第二电阻两个电阻总阻的比值,而使能信号EN连接第二电阻和第二PMOS晶体管的栅极,第二PMOS晶体管的源极连接电源VCC;第二稳压电路包括第二NMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第四NMOS晶体管,第三电阻和第二地线;第二稳压电路中,第二NMOS晶体管的源极连接输出电压端VDD,其漏极接第一电源VCC,第三PMOS晶体管的栅极连接偏置电压端VBP,其源极接第一电源VCC,其漏极电流在二极管连接的第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管上产生电压VNG连接到第二NMOS晶体管的栅极,第六PMOS晶体管的栅极与第七PMOS晶体管的栅、漏极都和第三PMOS晶体管提供偏置电压端VBP连接,且第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管的源极都和第一电源VCC连接,第三NMOS晶体管的栅极、漏极短接并连接到第六PMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的栅极,第四NMOS晶体管的源极和第三电阻串联后接到第二地线GND上;当外部芯片处于正常工作状态时,由第一稳压电路供电,输出精确电压,同时,第二稳压电路也工作;当外部芯片处于待机工作状态时,第一稳压电路关断,不再给输出电压端供电,同时,第二稳压电路给输出电压端供电。
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