[实用新型]高压LED芯片有效
| 申请号： | 201721851693.0 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN207719230U | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王思博;简弘安;刘宇轩;陈顺利;丁逸圣 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/62 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高压LED芯片，所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底，所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间隔设置，所述第二芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第二N型半导体层、第二发光层和第二P型半导体层。所述第一N型半导体层靠近所述第二芯片的侧面为第一侧面，所述第一侧面与所述衬底表面所成的夹角为30‑55度。所述连接电极覆盖于所述第一侧面和第二芯片靠近所述第一芯片的侧面。所述连接电极将所述第一N型半导体层与所述第二P型半导体层电连接且与所述第二发光层和第二N型半导体层电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 高压LED芯片 衬底表面 连接电极 侧面 发光层 衬底 垂直 本实用新型 芯片间隔 生长 电绝缘 电连接 夹角为 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高压LED芯片(100)，其特征在于，包括：衬底(10)；第一芯片(210)设置于所述衬底(10)，所述第一芯片(210)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第一N型半导体层(211)、第一发光层(212)和第一P型半导体层(213)；与所述第一芯片(210)间隔设置的第二芯片(220)设置于所述衬底(10)，所述第二芯片(220)包括垂直于所述衬底(10)表面依次生长的第二N型半导体层(221)、第二发光层(222)和第二P型半导体层(223)；所述第一N型半导体层(211)靠近所述第二芯片(220)的侧面为第一侧面(30)，所述第一侧面(30)与所述衬底(10)表面所成的夹角为30‑55度；连接电极(40)，覆盖于所述第一侧面(30)和所述第二芯片(220)靠近所述第一芯片(210)的侧面，所述连接电极(40)将所述第一N型半导体层(211)与所述第二P型半导体层(223)电连接，并且与所述第二发光层(222)和所述第二P型半导体层(223)电绝缘。
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