[实用新型]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201721899629.X | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN208045452U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 崔正秀 | 申请（专利权）人： | INVENIA有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种等离子体处理装置，该装置包括：腔室，内部形成有工序空间；高频电源，用于供给高频电力；天线，构成为接收高频电力并在工序空间内产生等离子体；多个喷淋头，包括用于将从外部引入的气体供给到工序空间的多个气体供给孔；及流量调节部，构成为分别配置在多个喷淋头内部并用于调节从多个气体供给孔供给的气体的流量。根据本实用新型的包含喷淋头的等离子体处理装置可以通过挡板调节从尺寸不同的喷淋头供给的气体的流量，从而可以与喷淋头尺寸无关地向工序空间的整个区域供给流量均匀的气体，具有减少不良率、提高生产能力的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 喷淋头 等离子体处理装置 本实用新型 气体供给孔 高频电力 等离子体 流量调节部 挡板调节 高频电源 供给流量 气体供给 整个区域 不良率 腔室 天线 生产能力 外部 引入 配置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：腔室，内部形成有工序空间；高频电源，用于供给高频电力；天线，接收所述高频电力并在所述工序空间内产生等离子体；多个喷淋头，包括用于将从外部引入的气体供给到所述工序空间的多个气体供给孔；及流量调节部，分别配置在所述多个喷淋头内部并用于调节从所述多个气体供给孔供给的气体的流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
