[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201780002602.2 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107851666B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 小野泽勇一;大井幸多 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;周春燕 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第二导电型的基区，其在半导体基板，形成于漂移层的上方；以及第一导电型的积累层，其设置于漂移层与基区之间，且浓度比漂移层高浓度，积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时积累层与不同区域的边界侧，形成得比第一积累区浅。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于所述半导体基板；第二导电型的基区，其在所述半导体基板，形成于所述漂移层的上方；以及第一导电型的积累层，其设置于所述漂移层与所述基区之间，且浓度比所述漂移层的浓度高，所述积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时所述积累层与不同区域的边界侧，形成得比所述第一积累区浅。
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