[发明专利]含有分开形成的漏极侧选择晶体管的三维存储器器件及其制造方法

摘要

可以穿过绝缘层和间隔体材料层的交替的堆叠体来形成存储器堆叠体结构，该交替的堆叠体形成为电气导电层或者随后以电气导电层替换。存储器堆叠体结构可以形成为具有第一节距的行。附加的绝缘层和至少一个漏极选择级电介质层形成在交替的堆叠体之上。漏极选择级开口以具有更小的第二节距的行的形式形成。至少一个漏极选择级电介质层的部分替换形成了间隔开的电气导电线结构，该电气导电线结构围绕相应的多个漏极选择级开口。漏极选择级沟道部分随后形成在相应的漏极选择级开口中。

主权项

1.一种三维存储器器件，包括：位于衬底之上的绝缘层和电气导电层的交替的堆叠体；至少一个漏极选择级导电层，其位于所述交替的堆叠体之上，其中所述至少一个漏极选择级导电层中的每一个包括电气导电线结构，所述电气导电线结构沿着第一水平方向横向地延伸并且沿着第二水平方向相互之间横向地间隔开；存储器堆叠体结构，其延伸穿过所述交替的堆叠体，其中所述存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和接触所述存储器膜的内侧壁的存储器级沟道部分；漏极选择级沟道部分，其垂直地延伸穿过所述至少一个漏极选择级导电层，接触相应的存储器级沟道部分，并且由在所述至少一个漏极选择级导电层的每个级处的相应的漏极选择级栅极电介质和相应的一个所述电气导电线结构横向地围绕；其中：所述存储器堆叠体结构在包含相同漏极选择级的两个或多个电气导电线结构的区域之上采用沿着所述第二水平方向的第一行到行的节距、以行的形式布置，所述行延伸穿过所述第一水平方向；对于每个电气导电线结构，漏极选择级沟道部分的相应的阵列延伸穿过所述电气导电线结构，并且相应的阵列内的漏极选择级沟道部分采用沿着所述第二水平方向的第二行到行的节距、以行的形式布置为至少四行，所述行沿着所述第一水平方向延伸；并且所述第二行到行的节距小于所述第一行到行的节距。