[发明专利]有机EL设备的制造方法

摘要

有机EL设备(100)的制造方法包含：在基板(1)上形成驱动电路层(2)的工序、在驱动电路层上形成无机保护层(2Pa)的工序、在无机保护层上形成有机平坦化层(2Pb)的工序、将有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序、以及在加热工序之后于有机平坦化层上形成有机EL元件层(3)的工序，并且，在形成有机平坦化层之后且加热有机平坦化层的工序之前，进而还包含形成将有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序、以及除去有机高分子膜的工序。

主权项

1.一种制造方法，是有机EL设备的制造方法，该制造方法的特征在于，所述有机EL设备具有：基板，驱动电路层，该驱动电路层具有：形成于所述基板上的多个TFT、分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个栅极总线和多个源极总线、多个端子、以及将所述多个端子与所述多个栅极总线或所述多个源极总线的任一者连接的多根引出配线，无机保护层，其形成于所述驱动电路层上，并使至少所述多个端子露出，有机平坦化层，其形成于所述无机保护层上，有机EL元件层，其形成于所述有机平坦化层上，且具有分别与所述多个TFT中的任一个连接的多个有机EL元件，以及薄膜封装结构，其以将所述有机EL元件层覆盖的方式形成；所述制造方法包含：在所述基板上形成所述驱动电路层的工序A，在所述驱动电路层上形成所述无机保护层的工序B，在所述无机保护层上形成所述有机平坦化层的工序C，将所述有机平坦化层加热为200℃以上的温度的工序D，以及在所述加热工序之后于所述有机平坦化层上形成所述有机EL元件层的工序E；在所述工序C之后且所述工序D之前进而还包含：形成将所述有机平坦化层覆盖的有机高分子膜的工序C1、以及除去所述有机高分子膜的工序C2。