[发明专利]三维集成层叠电路制造用片及三维集成层叠电路的制造方法有效

专利信息
申请号: 201780004484.9 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN108463527B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 根津裕介;杉野贵志 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C09J5/00 分类号: C09J5/00;C09J7/20;C09J201/00;C09J11/04;H01L21/60;H01L21/301;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种三维集成层叠电路制造用片1,其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间,其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路,所述三维集成层叠电路制造用片1至少具备固化性的粘合剂层13,粘合剂层13含有导热性填料,粘合剂层13的厚度(T2)的标准偏差为2.0μm以下。该三维集成层叠电路制造用片1能够制造具有优异的放热性的三维集成层叠电路。
搜索关键词: 三维 集成 层叠 电路 制造 方法
【主权项】:
1.一种三维集成层叠电路制造用片,其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间,其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路,其特征在于,所述三维集成层叠电路制造用片至少具备固化性的粘合剂层,所述粘合剂层含有导热性填料,所述粘合剂层的厚度(T2)的标准偏差为2.0μm以下。
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