[发明专利]三维集成层叠电路制造用片及三维集成层叠电路的制造方法有效
申请号: | 201780004484.9 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108463527B | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 根津裕介;杉野贵志 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | C09J5/00 | 分类号: | C09J5/00;C09J7/20;C09J201/00;C09J11/04;H01L21/60;H01L21/301;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种三维集成层叠电路制造用片1,其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间,其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路,所述三维集成层叠电路制造用片1至少具备固化性的粘合剂层13,粘合剂层13含有导热性填料,粘合剂层13的厚度(T2)的标准偏差为2.0μm以下。该三维集成层叠电路制造用片1能够制造具有优异的放热性的三维集成层叠电路。 | ||
搜索关键词: | 三维 集成 层叠 电路 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三维集成层叠电路制造用片,其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间,其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路,其特征在于,所述三维集成层叠电路制造用片至少具备固化性的粘合剂层,所述粘合剂层含有导热性填料,所述粘合剂层的厚度(T2)的标准偏差为2.0μm以下。
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