[发明专利]阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201780004625.7 | 申请日: | 2017-05-17 |
公开(公告)号: | CN108701695A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 钱俊;叶江波;肖禄 | 申请(专利权)人: | 深圳市柔宇科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518115 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种阵列基板及其制造方法,其中,方法包括如下步骤:提供一衬底基板(201),在衬底基板(201)上依次形成第一金属保护层(202)、第一金属导电层(203)和第二金属保护层(204);在第二金属保护层(204)上方层叠设置第二金属导电层(205);在第二金属导电层(205)表面覆盖第三金属保护层(206);在第三金属保护层(206)表面覆盖光阻图案层(207);透过光阻图案层(207)由第三金属保护层(206)蚀刻至第一金属保护层(202),以形成沟道(210)。通过在衬底基板上形成多层金属导电层,并且金属导电层外表面通过金属保护层进行保护,通过增加金属导电层的层数,从而减小单层金属导电层的厚度,进而减小蚀刻过程中在金属导电层侧壁上形成的凹陷的深度,降低后续工序中的品质异常,提升阵列基板的产品良率。 | ||
搜索关键词: | 金属保护层 金属导电层 衬底基板 阵列基板 蚀刻 表面覆盖 减小 光阻图案层 层叠设置 产品良率 多层金属 后续工序 导电层 透过光 图案层 凹陷 侧壁 单层 沟道 制造 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底基板,在所述衬底基板上依次形成第一金属保护层、第一金属导电层和第二金属保护层;在所述第二金属保护层上方层叠设置第二金属导电层;在所述第二金属导电层表面覆盖第三金属保护层;在所述第三金属保护层表面覆盖光阻图案层;透过所述光阻图案层由所述第三金属保护层蚀刻至所述第一金属保护层,以形成沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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