[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201780005645.6 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108475715B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 全水根;晋根模;朴俊阐;郑然湖;崔日均 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/36;H01L33/10;H01L33/60;H01L33/38;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及半导体发光元件，其特征在于，该半导体发光元件包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，该包括：多个半导体层，它们包括具备第1导电性的第1半导体层、具备与第1导电性不同的第2导电性的第2半导体层及介于第1半导体层与第2半导体层之间并通过电子和空穴的复合来生成光的有源层；绝缘层，其形成在多个半导体层上，并包括开口；及电极，其形成在绝缘层上，并通过开口而与多个半导体层电连接，该电极具备上表面及下表面，上表面的面积小于下表面的面积，该半导体发光元件为倒装芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世迈克琉明有限公司，未经世迈克琉明有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780005645.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括发绿光的量子点和红色KSF磷光体的显示装置
- 下一篇：热电元件
