[发明专利]铜箔及其制造方法、包括该铜箔的电极、包括该电极的二次电池有效
| 申请号： | 201780006666.X | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN108475790B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 金昇玟 | 申请（专利权）人： | SK纳力世有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/66 | 分类号： | H01M4/66;H01M4/131;H01M4/36;H01M10/052;C25D3/38;C25D17/02;C25D7/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够保障使二次电池具有较高的容量保持率的铜箔及其制造方法、包括该铜箔的电极、包括该铜箔的二次电池。本发明的二次电池用铜箔具有第一面和该第一面相反侧的第二面，并且，当通过EBSD图像观察所述铜箔的截面时，所述第一面和第二面各自每5μm具有1至8个巨大凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 铜箔 及其 制造 方法 包括 电极 二次 电池 | ||
【主权项】：
1.一种二次电池用铜箔，其为具有第一面和该第一面相反侧的第二面的二次电池用铜箔(100)，其特征在于，包括：铜膜，具有面向所述第一面的无光泽面和面向所述第二面的光泽面；第一铜凸起层，位于所述铜膜的所述无光泽面上；第一保护层，位于所述第一铜凸起层上；第二铜凸起层，位于所述铜膜的所述光泽面上；以及第二保护层，位于所述第二铜凸起层上，当通过EBSD(Electron Backscattered Diffraction)图像观察所述二次电池用铜箔的截面时，所述第一面和第二面各自每5μm具有1至8个巨大凸起(giant protuberance)，其中，所述巨大凸起是从基准线凸出0.7μm以上的凸起，所述基准线经过在所述第一面或第二面或者所述第一面或第二面的附近所形成的谷(valleys)和孔隙(pores)上的地点中的、从所述第一面或第二面隔开最远的地点，并且与所述第一面或第二面平行。
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