[发明专利]场效应晶体管、其制造方法、显示元件、显示设备和系统

摘要

提供了制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，该电极包括相继层压在该栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜。该方法包括以下步骤：形成包括元素A和元素B的氧化膜作为栅极绝缘层，该元素A是碱土金属，该元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；在氧化膜上形成在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜；在第一导电膜上形成第二导电膜；用具有比对于第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻第二导电膜；以及使用第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻第一导电膜。

主权项

1.一种制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管包括栅极绝缘层和电极，所述电极包括相继层压在所述栅极绝缘层的预定表面上的第一导电膜和第二导电膜，所述方法包括以下步骤：形成包括元素A和元素B的氧化膜作为栅极绝缘层，所述元素A是碱土金属，所述元素B是从由Ga、Sc、Y和镧系元素构成的组中选择的至少一个元素；在所述氧化膜上形成在有机碱性溶液中溶解的第一导电膜；在所述第一导电膜上形成第二导电膜；用具有比对于所述第一导电膜的蚀刻速率更高的对于第二导电膜的蚀刻速率的蚀刻溶液来蚀刻所述第二导电膜；以及使用第二导电膜作为掩模，用有机碱性溶液蚀刻所述第一导电膜。