[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201780009234.4 | 申请日： | 2017-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108604622B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 崔炳然 | 申请（专利权）人： | 苏州乐琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/38;H01L33/20 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发光器件的实施例包括：衬底；第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层被布置在衬底上；有源层，该有源层被布置在第一导电类型半导体层上，多个量子阱层和多个量子势垒层被交替地堆叠在有源层中；第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层被布置在有源层上；接触层，该接触层被布置在第二导电类型半导体层上；电流扩展层，该电流扩展层被布置在接触层上；以及电流阻挡层，该电流阻挡层被布置在第二导电类型半导体层上，其中接触层和/或电流扩展层可以被形成以围绕电流阻挡层的至少一部分并且当米勒平面指数为400时具有衍射的X射线光束的最大强度值。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：衬底；第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层被布置在所述衬底上；有源层，所述有源层被布置在所述第一导电类型半导体层上，多个量子阱层和多个量子势垒层被交替地堆叠在所述有源层中；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层被布置在所述有源层上；接触层，所述接触层被布置在所述第二导电类型半导体层上；电流扩展层，所述电流扩展层被布置在所述接触层上；以及电流阻挡层，所述电流阻挡层被布置在所述第二导电类型半导体层上，其中，所述接触层和/或所述电流扩展层被形成以覆盖所述电流阻挡层的至少一部分并且当米勒平面指数为400时具有衍射的X射线光束的最大强度值。
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