[发明专利]低动态电阻低电容二极管有效
| 申请号： | 201780010004.X | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108604606B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | A·D·斯特坎;A·斯多夫尼科夫;G·薛;D·王 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐东升;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
在所描述的示例中，半导体器件(100)的低动态电阻低电容二极管(114)包含重掺杂n型衬底(102)。1微米至5微米厚的轻掺杂n型层(104)被设置在n型衬底(102)上。3微米至8微米厚的轻掺杂p型层(106)被设置在n型层(104)上。半导体器件(100)的低动态电阻低电容二极管(114)包含p型掩埋层(120)，该p型掩埋层具有在1×10 |
||
| 搜索关键词： | 动态 电阻 电容 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：n型衬底，其具有大于1×1018cm‑3的平均掺杂物密度；设置在所述n型衬底上的1微米至5微米厚的n型层，所述n型层具有小于1×1016cm‑3的平均掺杂物密度；设置在所述n型层上的3微米至8微米厚的p型层，所述p型层具有小于1×1015cm‑3的平均掺杂物密度；以及低电阻低电容二极管即LR‑LC二极管，其包括：p型掩埋层，所述p型掩埋层从所述p型层延伸穿过所述n型层至所述n型衬底，所述p型掩埋层具有大于1×1017cm‑3的峰值掺杂物密度；以及n型区，所述n型区被设置在所述p型层中并延伸到所述p型层的顶表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780010004.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
