[发明专利]用于钴镀覆的增强镀覆浴及添加剂化学品在审
| 申请号： | 201780013539.2 | 申请日： | 2017-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108701647A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 伊斯梅尔·艾密许;罗伊·夏维;克里斯·帕贝里可 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式可包括电镀特征的数种方法，这些特征形成于半导体器件上，诸如沟槽或通孔，该沟槽或介层窗是通过使用钴镀覆浴以单镶嵌或双镶嵌工艺形成。该钴电镀浴可含有“添加剂包”或“添加剂系统”，该“添加剂包”或“添加剂系统”包括某些比例的多种添加剂的组合，而助于高深宽比亚微米特征的金属填充。本公开内容的实施方式提供新的钴镀覆浴方法及化学品，这些方法与化学品包括烷基修饰咪唑、咪唑啉、及咪唑啉啶抑制剂化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 镀覆 添加剂系统 添加剂包 化学品 咪唑啉 添加剂化学品 抑制剂化合物 半导体器件 双镶嵌工艺 亚微米特征 高深宽比 金属填充 特征形成 烷基修饰 电镀浴 介层窗 电镀 通孔 咪唑 添加剂 镶嵌 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上形成钴层的方法，包括下述步骤：将基板浸泡在钴镀覆浴中，所述基板具有导电层，所述导电层设置在所述基板上，其中所述钴镀覆浴包括：第一量的钴离子；和第一量的至少一种抑制剂化合物，所述抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且其中所述咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基；和相对阳极偏压所述导电层，而在所述导电层的表面上形成钴层，所述阳极电连通所述钴镀覆浴与所述导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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